全球知名半导体制造商ROHM于2025年6月3日宣布，开发出100V耐压功率MOSFET“RY7P250BM”。该产品专为AI服务器的48V电源热插拔电路设计，旨在解决高负载下的系统可靠性与能效挑战。

新产品采用8×8mm标准封装，在关键性能上实现突破：

更宽安全工作区（SOA）： 在48V电压下，其SOA在脉宽10ms时达16A，1ms时高达50A，能承受AI服务器苛刻的浪涌电流，显著提升可靠性。

更低导通电阻： 其导通电阻低至1.86mΩ，较同规格宽SOA产品降低约18%，有效减少了功率损耗和发热。

凭借这些优势，RY7P250BM可在确保系统稳定性的同时，帮助提升电源效率、减轻散热负担，并已获全球知名云平台企业推荐。