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安森美与英诺赛科签署战略合作备忘录,加速全球GaN功率市场发展

作者:香港通明电子 浏览: 发表时间:2025-12-08 10:55:32

2025年12月4日,中国上海、苏州——安森美(onsemi)与英诺赛科(Innoscience)今日共同宣布,双方已签署战略合作谅解备忘录(MOU),将围绕氮化镓(GaN)功率器件的开发、制造与市场推广展开深度合作,共同加速全球GaN产业生态建设。

 

根据备忘录,双方将从40V-200V中低压功率器件入手,结合安森美在封装、驱动器及系统集成方面的专业能力,以及英诺赛科成熟的GaN晶圆制造与大规模量产优势,为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和AI数据中心等市场提供更高性价比、更高效率的GaN解决方案。

 

GaN器件以其高开关速度、小尺寸和低能耗特性,能够在小空间内实现更大功率输出,但此前受限于产品供应与产能不足,在中低压领域的应用进展缓慢。此次合作旨在突破上述瓶颈,通过整合双方技术优势与制造资源,加快产品上市速度,并推动GaN技术在全球主流市场的大规模部署。

 

合作覆盖多个关键应用领域,包括工业机器人电机驱动器、太阳能微型逆变器、汽车DC-DC转换器、电信基础设施电源、消费类电源适配器以及AI数据中心的中间总线转换器等。

对客户而言,此次合作将带来三方面显著优势:一是加速产品上市进程,借助双方技术协同实现快速原型开发和设计导入;二是形成可扩展的规模化制造能力,满足大众市场对大批量GaN器件的需求;三是降低系统整体成本,通过优化封装、减少元器件数量与简化热管理,实现更紧凑、更具成本竞争力的解决方案。

 

双方预计,到2030年全球GaN功率器件市场规模将达29亿美元,此次合作有望为两家公司带来数亿美元的潜在价值,并进一步推动GaN技术在高效能源转换领域的普及应用。


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