中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。

随着生成式AI快速发展，数据中心的功耗问题日益紧迫。高功率AI服务器的广泛部署以及800V高压直流（HVDC）架构的增加，推动了对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对这些需求，东芝开发了TW007D120E，有助于降低功耗并实现电源系统的小型化和更高效率。

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构，实现了业界领先的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）。其更低的导通电阻可降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与东芝现有产品相比，TW007D120E将RDS(on)A降低了约58%，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即RDS(on)×Qgdd）提高了约52%。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率，有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能——这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。

东芝计划在2026财年实现TW007D120E的量产，并将继续拓展产品线，包括面向汽车应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFET，东芝将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。